一、化學(xué)位移與屏蔽效應(yīng)
理想化的、裸露的氫核，當(dāng)滿足共振條件：ν0 / H0 = γ/(2π) 時(shí)，產(chǎn)生單一的吸收峰；但這只是在理想情況下，實(shí)際上并不存在裸露的氫核。
在有機(jī)化合物中，氫核不但受周圍不斷運(yùn)動著的價(jià)電子影響。還受到相鄰原子的影響。當(dāng)有機(jī)化合物放入強(qiáng)磁場中時(shí)，在外磁場作用下，氫核外運(yùn)動著的電子產(chǎn)生相對于外磁場方向的感應(yīng)磁場，起到屏蔽作用，使氫核實(shí)際受到的外磁場作用減�。�
H =（1-σ）H0
σ：屏蔽常數(shù)。
σ越大，表明受到的屏蔽效應(yīng)越大。
共振條件：ν0 = [γ/(2π) ]（1-σ）H0
由于屏蔽作用的存在，氫核產(chǎn)生共振需要更大的外磁場強(qiáng)度（相對于裸露的氫核），來抵消屏蔽的影響。 在有機(jī)化合物中，各種氫核周圍的電子云密度不同（結(jié)構(gòu)中不同位置）共振頻率有差異，即引起共振吸收峰的位移，這種現(xiàn)象稱為化學(xué)位移。
高分辨率的儀器能夠記錄有機(jī)化合物中具有不同化學(xué)位移的各類質(zhì)子的峰形信號（譜圖）。如右圖所示。但需要建立一個能衡量化學(xué)位移大小的標(biāo)準(zhǔn)，使我們能夠反過來根據(jù)譜圖中信號峰的化學(xué)位移大小，來確定質(zhì)子在化合物中的位置。
二、化學(xué)位移的表示方法
1．位移的標(biāo)準(zhǔn)
沒有完全裸露的氫核，也沒有絕對的標(biāo)準(zhǔn)。
相對標(biāo)準(zhǔn)：四甲基硅烷 Si(CH3)4 （TMS）（內(nèi)標(biāo)物）
規(guī)定其位移常數(shù) δTMS=0
2．為什么用TMS作為基準(zhǔn)?
(1) 12個氫處于完全相同的化學(xué)環(huán)境，只產(chǎn)生一個尖峰；
(2) 屏蔽強(qiáng)烈，位移最大。與有機(jī)化合物中的質(zhì)子峰不重迭；
(3) 化學(xué)惰性；易溶于有機(jī)溶劑；沸點(diǎn)低，易回收。
3. 位移的表示方法
與裸露的氫核相比，TMS的化學(xué)位移最大，但規(guī)定 δTMS=0 ，則其他種類氫核的位移應(yīng)為負(fù)值，但規(guī)定負(fù)號不加。
δ小，屏蔽強(qiáng)，共振需要的磁場強(qiáng)度大，在高場出現(xiàn)，
δ大，屏蔽弱，共振需要的磁場強(qiáng)度小，在低場出現(xiàn)，
δ= [（ δν樣 - δνTMS) / δνTMS] 106 (ppm)
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